SDI3068 SHIKUES

Symbol Micros: TSDI3068
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: DFN06(2x2)
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Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 50mOhm; 6,8A; 2,01W; -55°C ~ 150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 50mOhm
Max. Drainstrom: 6,8A
Maximaler Leistungsverlust: 2,01W
Gehäuse: DFN06(2x2)
Hersteller: SHIKUES
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: SHIKUES Hersteller-Teilenummer: SDI3068 RoHS Gehäuse: DFN06(2x2) Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2465 0,1352 0,0887 0,0800 0,0707
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Standard-Verpackung:
200
Widerstand im offenen Kanal: 50mOhm
Max. Drainstrom: 6,8A
Maximaler Leistungsverlust: 2,01W
Gehäuse: DFN06(2x2)
Hersteller: SHIKUES
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

Symbol Micros

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