SDI3068 SHIKUES

Symbol Micros: TSDI3068
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: DFN06(2x2)
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 50mOhm; 6,8A; 2,01 W; -55 °C ~ 150 °C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 50mOhm
Max. Drainstrom: 6,8A
Maximaler Leistungsverlust: 2,01W
Gehäuse: DFN06(2x2)
Hersteller: SHIKUES
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: SHIKUES Hersteller-Teilenummer: SDI3068 RoHS Gehäuse: DFN06(2x2) Datenblatt
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200 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2416 0,1325 0,0870 0,0784 0,0692
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Standard-Verpackung:
200
Widerstand im offenen Kanal: 50mOhm
Max. Drainstrom: 6,8A
Maximaler Leistungsverlust: 2,01W
Gehäuse: DFN06(2x2)
Hersteller: SHIKUES
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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