SDW2065 SHIKUES

Symbol Micros: TSDW2065
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: DFN06(2x2)
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 12V; 45mOhm; 6,5A; 1,78W; -55°C ~ 150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 45mOhm
Max. Drainstrom: 6,5A
Maximaler Leistungsverlust: 1,78W
Gehäuse: DFN06(2x2)
Hersteller: SHIKUES
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Hersteller: SHIKUES Hersteller-Teilenummer: SDW2065 RoHS Gehäuse: DFN06(2x2) Datenblatt
Auf Lager:
120 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2652 0,1453 0,0953 0,0859 0,0758
Standard-Verpackung:
200
Widerstand im offenen Kanal: 45mOhm
Max. Drainstrom: 6,5A
Maximaler Leistungsverlust: 1,78W
Gehäuse: DFN06(2x2)
Hersteller: SHIKUES
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Montage: SMD