SDW2065 SHIKUES

Symbol Micros: TSDW2065
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Gehäuse: DFN06(2x2)
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2xN-Channel MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 45mOhm; 6,5A; 1,78 W; -55 °C ~ 150 °C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 45mOhm
Max. Drainstrom: 6,5A
Maximaler Leistungsverlust: 1,78W
Gehäuse: DFN06(2x2)
Hersteller: SHIKUES
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Hersteller: SHIKUES Hersteller-Teilenummer: SDW2065 RoHS Gehäuse: DFN06(2x2) Datenblatt
Auf Lager:
120 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2600 0,1424 0,0934 0,0842 0,0743
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Standard-Verpackung:
200
Widerstand im offenen Kanal: 45mOhm
Max. Drainstrom: 6,5A
Maximaler Leistungsverlust: 1,78W
Gehäuse: DFN06(2x2)
Hersteller: SHIKUES
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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