SH8JB5

Symbol Micros: TSH8JB5
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
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Transistor P-Channel MOSFET; 40V; 16V; 8,5A; 15,3mOhm; 2W; -55°C~150°C; Bubstitute: SH8JB5TB1;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 15,3mOhm
Max. Drainstrom: 8,5A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: ROHM
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: ROHM - Japan Hersteller-Teilenummer: SH8JB5TB1 RoHS Gehäuse: SOP08t/r Datenblatt
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Nettopreis (EUR) 2,6544 2,1614 1,8740 1,7384 1,6590
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Standard-Verpackung:
10
Widerstand im offenen Kanal: 15,3mOhm
Max. Drainstrom: 8,5A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: ROHM
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 16V
Montage: SMD

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