SH8JC5TB1

Symbol Micros: TSH8JC5TB1
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7,5A; 32mOhm; 2W; -55°C~150°C; Substitute: SH8JC5TB1;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 32mOhm
Max. Drainstrom: 7,5A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: ROHM
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: ROHM - Japan Hersteller-Teilenummer: SH8JC5TB1 RoHS Gehäuse: SOP08t/r Datenblatt
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Nettopreis (EUR) 3,1871 2,6357 2,3086 2,1497 2,0562
Standard-Verpackung:
10
Widerstand im offenen Kanal: 32mOhm
Max. Drainstrom: 7,5A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: ROHM
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD