SI1013R-T1-GE3 Vishay
Symbol Micros:
TSI1013r
Gehäuse: SC-74
P-MOSFET 20V 350mA 1.2Ω
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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 2,7Ohm |
Max. Drainstrom: | 350mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 150mW |
Gehäuse: | SC-74 |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Widerstand im offenen Kanal: | 2,7Ohm |
Max. Drainstrom: | 350mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 150mW |
Gehäuse: | SC-74 |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Max. Gate-Source Spannung: | 6V |
Montage: | SMD |
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