SI1022R-T1-GE3 VISHAY

Name: TSI1022r TSI1022r
Brand: Vishay
SKU: TSI1022r
Price: 0.1816 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TSI1022r

Gehäuse: SC75-3 (SOT416)

N-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 5Ohm; 330mA; 250 mW; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	5Ohm
Max. Drainstrom:	330mA
Maximaler Leistungsverlust:	250mW
Gehäuse:	SC75-3 (SOT416)
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI1022R-T1-GE3 RoHS Gehäuse: SC75-3 (SOT416) Datenblatt

Auf Lager:

100 stk.

Anzahl Stück	2+	15+	100+	300+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,4546	0,2518	0,1989	0,1877	0,1816

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI1022R-T1-GE3 Gehäuse: SC75-3 (SOT416)

Externes Lager:

9000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1816

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI1022R-T1-GE3 Gehäuse: SC75-3 (SOT416)

Externes Lager:

12000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1816

Widerstand im offenen Kanal:	5Ohm
Max. Drainstrom:	330mA
Maximaler Leistungsverlust:	250mW
Gehäuse:	SC75-3 (SOT416)
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD