KSI2300DS-T1-GE3 KUU

Symbol Micros: TSI2300ds KUU
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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N-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 55mOhm; 6A; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 55mOhm
Max. Drainstrom: 6A
Gehäuse: SOT23
Hersteller: KUU
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Hersteller: kuu semiconductor Hersteller-Teilenummer: KSI2300DS-T1-GE3 RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
240 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2140 0,1072 0,0639 0,0529 0,0476
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Standard-Verpackung:
300
Widerstand im offenen Kanal: 55mOhm
Max. Drainstrom: 6A
Gehäuse: SOT23
Hersteller: KUU
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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