SI2301 SOT23 HOTTECH

Symbol Micros: TSI2301 c
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 150 mOhm; 2,3A; 1,25 W; -55 °C ~ 150 °C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 150mOhm
Max. Drainstrom: 2,3A
Maximaler Leistungsverlust: 1,25W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: HOTTECH
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: HOTTECH Hersteller-Teilenummer: SI2301 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
16200 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,0971 0,0382 0,0224 0,0163 0,0149
Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 150mOhm
Max. Drainstrom: 2,3A
Maximaler Leistungsverlust: 1,25W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: HOTTECH
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD