SI2301 3A KUU

Symbol Micros: TSI2301 KUU
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Gehäuse: SOT23
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P-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 140 mOhm; 3A; 1W; -55 °C ~ 150 °C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 140mOhm
Max. Drainstrom: 3A
Maximaler Leistungsverlust: 1W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: KUU
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: kuu semiconductor Hersteller-Teilenummer: SI2301 3A RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
400 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 600+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1468 0,0698 0,0393 0,0293 0,0267
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Standard-Verpackung:
600
Widerstand im offenen Kanal: 140mOhm
Max. Drainstrom: 3A
Maximaler Leistungsverlust: 1W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: KUU
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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