SI2301 3A KUU

Symbol Micros: TSI2301 KUU
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
P-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 140 mOhm; 3A; 1W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 140mOhm
Max. Drainstrom: 3A
Maximaler Leistungsverlust: 1W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: KUU
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: kuu semiconductor Hersteller-Teilenummer: SI2301 3A RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
400 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 600+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1462 0,0695 0,0392 0,0291 0,0266
Standard-Verpackung:
600
Widerstand im offenen Kanal: 140mOhm
Max. Drainstrom: 3A
Maximaler Leistungsverlust: 1W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: KUU
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD