SI2301
Symbol Micros:
TSI2301 YFW
Gehäuse: SOT23t/r
YFW2301B;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 64mOhm |
| Max. Drainstrom: | 3A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1W |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | YFW |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: YFW
Hersteller-Teilenummer: YFW2301B RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Auf Lager:
6000 stk.
| Anzahl Stück | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1040 | 0,0410 | 0,0240 | 0,0175 | 0,0160 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 64mOhm |
| Max. Drainstrom: | 3A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1W |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | YFW |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 12V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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