KSI2301CDS-T1-GE3 SOT23 KUU

Symbol Micros: TSI2301cds KUU
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
P-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 115 mOhm; 3A; 1,25 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 115mOhm
Max. Drainstrom: 3A
Maximaler Leistungsverlust: 1,25W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: KUU
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: kuu semiconductor Hersteller-Teilenummer: KSI2301CDS-T1-GE3 RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
500 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 600+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1846 0,0877 0,0494 0,0368 0,0336
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
600
Widerstand im offenen Kanal: 115mOhm
Max. Drainstrom: 3A
Maximaler Leistungsverlust: 1,25W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: KUU
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole