SI2301S SOT23 BORN

Symbol Micros: TSI2301s BORN
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 10V; 210mOhm; 2,3A; 1W; -50 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 210mOhm
Max. Drainstrom: 2,3A
Maximaler Leistungsverlust: 1W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: BORN
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: BORN Hersteller-Teilenummer: SI2301S RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
Nettopreis (EUR) 0,1520 0,0607 0,0353 0,0295 0,0276
Standard-Verpackung:
200
Widerstand im offenen Kanal: 210mOhm
Max. Drainstrom: 2,3A
Maximaler Leistungsverlust: 1W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: BORN
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 10V
Betriebstemperatur (Bereich): -50°C ~ 150°C
Montage: SMD