AS2302

Symbol Micros: TSI2302 ANB
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 10V; 60mOhm; 3,5A; 1W; -55°C~150°C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 60mOhm
Max. Drainstrom: 3,5A
Maximaler Leistungsverlust: 1W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: AnBon
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: AnBon Hersteller-Teilenummer: AS2302 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
9000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1143 0,0525 0,0285 0,0213 0,0190
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Standard-Verpackung:
3000/9000
Widerstand im offenen Kanal: 60mOhm
Max. Drainstrom: 3,5A
Maximaler Leistungsverlust: 1W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: AnBon
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 10V
Montage: SMD

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