SI2302 SOT23 BORN

Symbol Micros: TSI2302 BORN
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 10V; 59mOhm; 3A; 1,25 W; -55 °C ~ 150 °C;

Haben Sie Fragen? Wir beantworten Sie gerne.
Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48 785 054 437
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 59mOhm
Max. Drainstrom: 3A
Maximaler Leistungsverlust: 1,25W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: BORN
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: BORN Hersteller-Teilenummer: SI2302 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
300 stk.
Anzahl Stück 5+ 30+ 200+ 996+ 4980+
Nettopreis (EUR) 0,1819 0,0727 0,0422 0,0352 0,0330
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
996
Widerstand im offenen Kanal: 59mOhm
Max. Drainstrom: 3A
Maximaler Leistungsverlust: 1,25W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: BORN
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 10V
Montage: SMD

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole