KSI2302CDS-T1-GE3 KUU

Symbol Micros: TSI2302cds KUU
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Gehäuse: SOT23
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N-MOSFET-Transistor; 20V; 10V; 59mOhm; 2,9A; 1W; -55 °C ~ 150 °C; KSI2302CDS-T1-GE3;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 59mOhm
Max. Drainstrom: 2,9A
Maximaler Leistungsverlust: 1W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: KUU
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 59mOhm
Max. Drainstrom: 2,9A
Maximaler Leistungsverlust: 1W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: KUU
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 10V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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