SI2304DDS

Symbol Micros: TSI2304dds
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 3,3A; 60mOhm; -/+20V; 1,1 W; -55°C~150°C; Äquivalent: SI2304DDS-T1-GE3;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 60mOhm
Max. Drainstrom: 3,3A
Maximaler Leistungsverlust: 1,1W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI2304DDS-T1-GE3 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
500 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,3186 0,1703 0,1326 0,1199 0,1159
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Standard-Verpackung:
500
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI2304DDS-T1-GE3 Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
105000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1159
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 60mOhm
Max. Drainstrom: 3,3A
Maximaler Leistungsverlust: 1,1W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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