SI2304DDS

Name: TSI2304dds TSI2304dds
Brand: -
SKU: TSI2304dds
Price: 0.1184 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TSI2304dds

Gehäuse: SOT23

N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 3,3A; 60mOhm; -/+20V; 1,1 W; -55°C~150°C; Äquivalent: SI2304DDS-T1-GE3;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	60mOhm
Max. Drainstrom:	3,3A
Maximaler Leistungsverlust:	1,1W
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Msx. Drain-Gate Spannung:	10V

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI2304DDS-T1-GE3 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

Auf Lager:

500 stk.

Anzahl Stück	3+	20+	100+	500+	2000+
Nettopreis (EUR)	0,3254	0,1740	0,1354	0,1225	0,1184

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI2304DDS-T1-GE3 Gehäuse: SOT23

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219000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1184

Hersteller: - Hersteller-Teilenummer: SI2304DDS-T1-GE3 Gehäuse: SOT23

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201000 stk.

Anzahl Stück	1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1184

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI2304DDS-T1-GE3 Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

129000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1184

Widerstand im offenen Kanal:	60mOhm
Max. Drainstrom:	3,3A
Maximaler Leistungsverlust:	1,1W
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Msx. Drain-Gate Spannung:	10V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD