SI2304DDS
Symbol Micros:
TSI2304dds
Gehäuse: SOT23
N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 3,3A; 60mOhm; -/+20V; 1,1 W; -55°C~150°C; Äquivalent: SI2304DDS-T1-GE3;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 60mOhm |
Max. Drainstrom: | 3,3A |
Maximaler Leistungsverlust: | 1,1W |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
Msx. Drain-Gate Spannung: | 10V |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: SI2304DDS-T1-GE3 RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
500 stk.
Anzahl Stück | 3+ | 20+ | 100+ | 500+ | 2000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,3254 | 0,1740 | 0,1354 | 0,1225 | 0,1184 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: SI2304DDS-T1-GE3
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
219000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,1184 |
Hersteller: -
Hersteller-Teilenummer: SI2304DDS-T1-GE3
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
201000 stk.
Anzahl Stück | 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,1184 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: SI2304DDS-T1-GE3
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
129000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,1184 |
Widerstand im offenen Kanal: | 60mOhm |
Max. Drainstrom: | 3,3A |
Maximaler Leistungsverlust: | 1,1W |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
Msx. Drain-Gate Spannung: | 10V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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