SI2305 SOT23-3 HOTTECH

Symbol Micros: TSI2305 HOT
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Gehäuse: SOT23-3
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 250 mOhm; 3,2A; 1,38 W; -55 °C ~ 150 °C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 250mOhm
Max. Drainstrom: 3,2A
Maximaler Leistungsverlust: 1,38W
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: HOTTECH
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: HOTTECH Hersteller-Teilenummer: SI2305 RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
7090 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2115 0,1004 0,0565 0,0430 0,0385
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 250mOhm
Max. Drainstrom: 3,2A
Maximaler Leistungsverlust: 1,38W
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: HOTTECH
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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