SI2305-TP

Symbol Micros: TSI2305-tp
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Gehäuse: SOT23-3
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 8V; 8V; 90mOhm; 4.1A; 1,4 W; -55°C~150°C; SI2305-TP-HF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 90mOhm
Max. Drainstrom: 4,1A
Maximaler Leistungsverlust: 1,4W
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: MCC
Max. Drain-Source Spannung: 8V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Micro Commercial Components Corp. Hersteller-Teilenummer: SI2305-TP RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
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1000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2611 0,1429 0,0937 0,0809 0,0746
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Standard-Verpackung:
1000
Widerstand im offenen Kanal: 90mOhm
Max. Drainstrom: 4,1A
Maximaler Leistungsverlust: 1,4W
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: MCC
Max. Drain-Source Spannung: 8V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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