SI2306-TP
Symbol Micros:
TSI2306 MCC
Gehäuse: SOT23
N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 65mOhm; 20A; 620 mW; -55°C~150°C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 65mOhm |
| Max. Drainstrom: | 20A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 620mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | MCC |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 65mOhm |
| Max. Drainstrom: | 20A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 620mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | MCC |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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