SI2308BDS 

Symbol Micros: TSI2308bds
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 192mOhm; 2,3A; 1,66W; -55°C~150°C; Substitute: SI2308BDS-T1-GE3; SI2308BDS-T1-E3; SI2308BDS-T1-GE3CT-ND;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 192mOhm
Max. Drainstrom: 2,3A
Maximaler Leistungsverlust: 1,66W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 192mOhm
Max. Drainstrom: 2,3A
Maximaler Leistungsverlust: 1,66W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

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