SI2308BDS

Symbol Micros: TSI2308bds

Gehäuse: SOT23

N-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 192 mOhm; 2,3A; 1,66 W; -55°C~150°C; Äquivalent: SI2308BDS-T1-GE3; SI2308BDS-T1-E3; SI2308BDS-T1-GE3CT-ND;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	192mOhm
Max. Drainstrom:	2,3A
Maximaler Leistungsverlust:	1,66W
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI2308BDS-T1-GE3 Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

18000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1194

Hersteller: - Hersteller-Teilenummer: SI2308BDS-T1-E3 Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

9000 stk.

Anzahl Stück	1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1127

Widerstand im offenen Kanal:	192mOhm
Max. Drainstrom:	2,3A
Maximaler Leistungsverlust:	1,66W
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD

Anzahl Stück	3+	10+	40+	150+	750+
Nettopreis (EUR)	0,2872	0,1831	0,1326	0,1134	0,1046