SI2308BDS
Symbol Micros:
TSI2308bds
Gehäuse: SOT23
N-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 192 mOhm; 2,3A; 1,66 W; -55°C~150°C; Äquivalent: SI2308BDS-T1-GE3; SI2308BDS-T1-E3; SI2308BDS-T1-GE3CT-ND;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 192mOhm |
Max. Drainstrom: | 2,3A |
Maximaler Leistungsverlust: | 1,66W |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: SI2308BDS-T1-GE3
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
18000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,1194 |
Hersteller: -
Hersteller-Teilenummer: SI2308BDS-T1-E3
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
9000 stk.
Anzahl Stück | 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,1127 |
Widerstand im offenen Kanal: | 192mOhm |
Max. Drainstrom: | 2,3A |
Maximaler Leistungsverlust: | 1,66W |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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