SI2308BDS

Symbol Micros: TSI2308bds c
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 105mOhm; 3A; 350mW; -55°C~150°C; Substitute: SI2308BDS-VB; SI2308BDS-T1-E3; SI2308BDS-T1-BE3; SI2308BDS-T1-GE3; SI2308BDS-T1-GE3-VB;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 105mOhm
Max. Drainstrom: 3A
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: TECH PUBLIC
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: TECH PUBLIC Hersteller-Teilenummer: SI2308BDS RoHS E8. Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
140 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 40+ 150+ 750+
Nettopreis (EUR) 0,2872 0,1831 0,1326 0,1134 0,1046
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Standard-Verpackung:
150
Widerstand im offenen Kanal: 105mOhm
Max. Drainstrom: 3A
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: TECH PUBLIC
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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