SI2309CDS-T1-GE3
Symbol Micros:
TSI2309cds
Gehäuse: SOT23
P-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 450 mOhm; 1,6A; 1,7 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI2309CDS-T1-GE3; SI2309CDS-T1-E3; G05P06L; SI2309CDS-T1-GE3; SI2309CDS VISHAY;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 450mOhm |
| Max. Drainstrom: | 1,6A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,7W |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: SI2309CDS-T1-GE3 RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
1490 stk.
| Anzahl Stück | 3+ | 10+ | 50+ | 300+ | 1500+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,4033 | 0,2658 | 0,1905 | 0,1632 | 0,1553 |
Hersteller: -
Hersteller-Teilenummer: SI2309CDS-T1-GE3
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
213000 stk.
| Anzahl Stück | 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1553 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: SI2309CDS-T1-E3
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
36000 stk.
| Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1553 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: SI2309CDS-T1-GE3
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
117000 stk.
| Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1553 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 450mOhm |
| Max. Drainstrom: | 1,6A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,7W |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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