G05P06L

Symbol Micros: TSI2309cds GO
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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P-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 450 mOhm; 1,6A; 1,7 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI2309CDS-T1-GE3; SI2309CDS-T1-E3;
         
 
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