SI2315BDS-T1-E3 Vishay

Name: TSI2315bds TSI2315bds
Brand: Vishay
SKU: TSI2315bds
Price: 0.1816 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TSI2315bds

Gehäuse: SOT23

P-MOSFET-Transistor; 12V; 8V; 100 mOhm; 3A; 750 mW; -55 °C ~ 150 °C;

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Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	100mOhm
Max. Drainstrom:	3A
Maximaler Leistungsverlust:	750mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	12V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI2315BDS-T1-E3 RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt

Auf Lager:

140 stk.

Anzahl Stück	3+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,3814	0,2504	0,1788	0,1563	0,1465

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI2315BDS-T1-E3 Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

132000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1816

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI2315BDS-T1-GE3 Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

3000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1816

Widerstand im offenen Kanal:	100mOhm
Max. Drainstrom:	3A
Maximaler Leistungsverlust:	750mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	12V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	8V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD