SI2319CDS-T1-GE3 Vishay
Symbol Micros:
TSI2319cds
Gehäuse: SOT23
P-MOSFET 40V 4.4A 77mΩ
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Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 108mOhm |
| Max. Drainstrom: | 4,4A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 2,5W |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 108mOhm |
| Max. Drainstrom: | 4,4A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 2,5W |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Montage: | SMD |
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