SI2333-TP
Symbol Micros:
TSI2333
Gehäuse: SOT23-3
P-Channel-MOSFET-Transistor; 12V; 8V; 6A; 28mOhm; 0,35 W; -55°C~150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 28mOhm |
Max. Drainstrom: | 6A |
Maximaler Leistungsverlust: | 350mW |
Gehäuse: | SOT23-3 |
Hersteller: | Micro Comercial Components Corp. |
Max. Drain-Source Spannung: | 12V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: Micro Commercial Components Corp.
Hersteller-Teilenummer: SI2333-TP
Gehäuse: SOT23-3
Externes Lager:
1629000 stk.
Anzahl Stück | 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0532 |
Hersteller: Micro Commercial Components Corp.
Hersteller-Teilenummer: SI2333-TP RoHS
Gehäuse: SOT23-3
Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2401 | 0,1212 | 0,0734 | 0,0583 | 0,0532 |
Hersteller: Micro Commercial Components Corp.
Hersteller-Teilenummer: SI2333-TP
Gehäuse: SOT23-3
Externes Lager:
360000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0742 |
Widerstand im offenen Kanal: | 28mOhm |
Max. Drainstrom: | 6A |
Maximaler Leistungsverlust: | 350mW |
Gehäuse: | SOT23-3 |
Hersteller: | Micro Comercial Components Corp. |
Max. Drain-Source Spannung: | 12V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 8V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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