SI2333-TP

Symbol Micros: TSI2333
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
P-Channel-MOSFET-Transistor; 12V; 8V; 6A; 28mOhm; 0,35 W; -55°C~150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 28mOhm
Max. Drainstrom: 6A
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: Micro Comercial Components Corp.
Max. Drain-Source Spannung: 12V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Micro Commercial Components Corp. Hersteller-Teilenummer: SI2333-TP Gehäuse: SOT23-3  
Externes Lager:
1629000 stk.
Anzahl Stück 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0532
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Micro Commercial Components Corp. Hersteller-Teilenummer: SI2333-TP RoHS Gehäuse: SOT23-3 Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2401 0,1212 0,0734 0,0583 0,0532
Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: Micro Commercial Components Corp. Hersteller-Teilenummer: SI2333-TP Gehäuse: SOT23-3  
Externes Lager:
360000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0742
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 28mOhm
Max. Drainstrom: 6A
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: Micro Comercial Components Corp.
Max. Drain-Source Spannung: 12V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD