SI2333 SOT23 BORN

Symbol Micros: TSI2333 BORN
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
P-MOSFET-Transistor; 12V; 8V; 59mOhm; 5.1A; 1,25 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 59mOhm
Max. Drainstrom: 5,1A
Maximaler Leistungsverlust: 1,25W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: BORN
Max. Drain-Source Spannung: 12V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: BORN Hersteller-Teilenummer: SI2333 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 452+ 2260+
Nettopreis (EUR) 0,2541 0,1289 0,0779 0,0622 0,0567
Standard-Verpackung:
452
Hersteller: BORN Hersteller-Teilenummer: SI2333 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2425 0,1208 0,0720 0,0597 0,0536
Standard-Verpackung:
1000
Widerstand im offenen Kanal: 59mOhm
Max. Drainstrom: 5,1A
Maximaler Leistungsverlust: 1,25W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: BORN
Max. Drain-Source Spannung: 12V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD