SI2333DS-T1-E3

Name: TSI2333ds TSI2333ds
Brand: Vishay
SKU: TSI2333ds
Price: 0.2448 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TSI2333ds

Gehäuse: SOT23

P-MOSFET-Transistor; 12V; 8V; 59mOhm; 4.1A; 750 mW; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	59mOhm
Max. Drainstrom:	4,1A
Maximaler Leistungsverlust:	750mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	12V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI2333DS-T1-E3 E3.. Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

Auf Lager:

141 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,5642	0,3567	0,2821	0,2565	0,2448

Widerstand im offenen Kanal:	59mOhm
Max. Drainstrom:	4,1A
Maximaler Leistungsverlust:	750mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	12V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	8V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD