SI2337DS-T1-GE3

Name: TSI2337ds TSI2337ds
Brand: Vishay
SKU: TSI2337ds
Price: 0.3893 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TSI2337ds

Gehäuse: SOT23

P-MOSFET-Transistor; 80V; 20V; 303 mOhm; 2,2A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI2337DS-T1-E3;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	303mOhm
Max. Drainstrom:	2,2A
Maximaler Leistungsverlust:	2,5W
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	80V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI2337DS-T1-GE3 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

Auf Lager:

10 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	30+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,8953	0,5619	0,4663	0,4150	0,3893

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI2337DS-T1-GE3 Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

6000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3893

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI2337DS-T1-GE3 Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

11470 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3893

Widerstand im offenen Kanal:	303mOhm
Max. Drainstrom:	2,2A
Maximaler Leistungsverlust:	2,5W
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	80V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD