LGE3415ES
Symbol Micros:
TSI3415B-TP LGE
Gehäuse: SOT23
P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 ähnlich zu: SI3415B-TP;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 50mOhm |
| Max. Drainstrom: | -4A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,4W |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | LGE |
| Max. Drain-Source Spannung: | -20V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 50mOhm |
| Max. Drainstrom: | -4A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,4W |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | LGE |
| Max. Drain-Source Spannung: | -20V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 10V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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