SI3440DV-T1-GE3

Symbol Micros: TSI3440dv
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TSOP06
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Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 400mOhm
Max. Drainstrom: 1,2A
Maximaler Leistungsverlust: 1,14W
Gehäuse: TSOP06
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 150V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI3440DV-T1-GE3 RoHS Gehäuse: TSOP06 t/r Datenblatt
Auf Lager:
7 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,6365 1,3069 1,1175 1,0053 0,9632
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 400mOhm
Max. Drainstrom: 1,2A
Maximaler Leistungsverlust: 1,14W
Gehäuse: TSOP06
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 150V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

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