SI3459BDV-T1-E3

Symbol Micros: TSI3459bdv
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TSOP06
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Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 288mOhm; 2,9A; 3,3W; -55°C ~ 150°C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 288mOhm
Max. Drainstrom: 2,9A
Maximaler Leistungsverlust: 3,3W
Gehäuse: TSOP06
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: SI3459BDV-T1-GE3 RoHS AS.. Gehäuse: TSOP06 t/r  
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50 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,8720 0,5518 0,4349 0,3974 0,3787
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 288mOhm
Max. Drainstrom: 2,9A
Maximaler Leistungsverlust: 3,3W
Gehäuse: TSOP06
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

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