SI4134DY-T1-GE3

Symbol Micros: TSI4134dy
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 17mOhm; 14A; 5W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI4410BDY-T1-E3;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 17mOhm
Max. Drainstrom: 14A
Maximaler Leistungsverlust: 5W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: SI4134DY-T1-GE3 RoHS Gehäuse: SOP08t/r  
Auf Lager:
75 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,4711 0,2859 0,2198 0,1983 0,1887
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Standard-Verpackung:
200
Widerstand im offenen Kanal: 17mOhm
Max. Drainstrom: 14A
Maximaler Leistungsverlust: 5W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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