SI4286DY-T1-GE3 VISHAY

Symbol Micros: TSI4286dy
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
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Trans MOSFET N-CH 40V 5.7A 8-Pin SOIC N

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 40mOhm
Max. Drainstrom: 7A
Maximaler Leistungsverlust: 2,9W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: SI4286DY-T1-GE3 RoHS Gehäuse: SOP08t/r  
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50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,3187 1,0064 0,8329 0,7311 0,6940
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 40mOhm
Max. Drainstrom: 7A
Maximaler Leistungsverlust: 2,9W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

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