SI4401DDY-T1-GE3 Vishay

Symbol Micros: TSI4401ddy
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOIC08
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P-MOSFET 40V 16.1A 15mΩ 6.3W

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 22mOhm
Max. Drainstrom: 16,1A
Maximaler Leistungsverlust: 6,3W
Gehäuse: SOIC08
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: SI4401DDY-T1-GE3 RoHS Gehäuse: SOIC08  
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50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,2291 0,9393 0,7758 0,6800 0,6472
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 22mOhm
Max. Drainstrom: 16,1A
Maximaler Leistungsverlust: 6,3W
Gehäuse: SOIC08
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

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