SI4403BDY

Symbol Micros: TSI4403bdy
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 32mOhm; 7,3A; 1,35 W; -55 °C ~ 150 °C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 32mOhm
Max. Drainstrom: 7,3A
Maximaler Leistungsverlust: 1,35W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: SI4403BDY RoHS Gehäuse: SOP08t/r  
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5850 0,3533 0,2714 0,2457 0,2335
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Standard-Verpackung:
200
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: SI4403BDY RoHS Gehäuse: SOP08t/r  
Auf Lager:
40 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,5709 0,3580 0,2972 0,2644 0,2480
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 32mOhm
Max. Drainstrom: 7,3A
Maximaler Leistungsverlust: 1,35W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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