SI4410BDY-T1-E3

Symbol Micros: TSI4410bdy
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
N-MOSFET 7,5A 30V 1,4W

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 20mOhm
Max. Drainstrom: 7,5A
Maximaler Leistungsverlust: 1,4W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 20mOhm
Max. Drainstrom: 7,5A
Maximaler Leistungsverlust: 1,4W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD