SI4410DY

Symbol Micros: TSI4410dy

Gehäuse: SOP08

N-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 20mOhm; 10A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	20mOhm
Max. Drainstrom:	10A
Maximaler Leistungsverlust:	2,5W
Gehäuse:	SOP08
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Widerstand im offenen Kanal:	20mOhm
Max. Drainstrom:	10A
Maximaler Leistungsverlust:	2,5W
Gehäuse:	SOP08
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD