SI4420BDY

Symbol Micros: TSI4420bdy
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 11mOhm; 9,5A; 1,4 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 11mOhm
Max. Drainstrom: 9,5A
Maximaler Leistungsverlust: 1,4W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: SI4420BDY RoHS Gehäuse: SOP08t/r  
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,7123 0,4478 0,3716 0,3311 0,3097
Standard-Verpackung:
100
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI4420BDY-T1-E3 Gehäuse: SOP08  
Externes Lager:
2500 stk.
Anzahl Stück 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,4318
Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 11mOhm
Max. Drainstrom: 9,5A
Maximaler Leistungsverlust: 1,4W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD