SI4425BDY-T1-E3

Symbol Micros: TSI4425bdy
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
P-MOSFET 8.8A 30V 1.5W 0.012Ω

Haben Sie Fragen? Wir beantworten Sie gerne.
Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48 785 054 437
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 19mOhm
Max. Drainstrom: 8,8A
Maximaler Leistungsverlust: 1,5W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: SI4425BDY-T1-E3 RoHS Gehäuse: SOP08t/r  
Auf Lager:
8 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 0,9773 0,7177 0,5751 0,4933 0,4652
Zum Vergleichstool hinzufügen
Produkt verfügbar, bis es vergriffen ist Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 19mOhm
Max. Drainstrom: 8,8A
Maximaler Leistungsverlust: 1,5W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole