SI4425DDY-T1-GE3 VISHAY

Symbol Micros: TSI4425ddy

Gehäuse: SOP08

P-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 16mOhm; 19,7A; 5,7 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI4425DDY-GE3;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	16mOhm
Max. Drainstrom:	19,7A
Maximaler Leistungsverlust:	5,7W
Gehäuse:	SOP08
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI4425DDY-T1-GE3 Gehäuse: SOP08

Externes Lager:

2400 stk.

Anzahl Stück	50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3235

Hersteller: - Hersteller-Teilenummer: SI4425DDY-T1-GE3 Gehäuse: SOP08

Externes Lager:

5000 stk.

Anzahl Stück	1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,2472

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI4425DDY-T1-GE3 Gehäuse: SOP08

Externes Lager:

2500 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,2792

Widerstand im offenen Kanal:	16mOhm
Max. Drainstrom:	19,7A
Maximaler Leistungsverlust:	5,7W
Gehäuse:	SOP08
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD