SI4431CDY-T1-GE3 Vishay

Symbol Micros: TSI4431cdy
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOIC08
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P-MOSFET 30V 9A 2.5W 32mΩ

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 49mOhm
Max. Drainstrom: 9A
Maximaler Leistungsverlust: 4,2W
Gehäuse: SOIC08
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: SI4431CDY-T1-GE3 RoHS Gehäuse: SOIC08t/r  
Auf Lager:
25 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,6663 0,4232 0,3343 0,3039 0,2899
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 49mOhm
Max. Drainstrom: 9A
Maximaler Leistungsverlust: 4,2W
Gehäuse: SOIC08
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

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