SI4435DDY

Symbol Micros: TSI4435ddy
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 35mOhm; 11,4A; 5W; -55°C ~ 150°C;

Haben Sie Fragen? Wir beantworten Sie gerne.
Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48 785 054 437
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 35mOhm
Max. Drainstrom: 11,4A
Maximaler Leistungsverlust: 5W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: SI4435DDY-T1-GE3 RoHS Gehäuse: SOP08t/r  
Auf Lager:
75 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,5599 0,3516 0,2915 0,2591 0,2429
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 35mOhm
Max. Drainstrom: 11,4A
Maximaler Leistungsverlust: 5W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole