SI4442DY

Symbol Micros: TSI4442dy
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 7,5 mOhm; 15A; 1,6 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 7,5mOhm
Max. Drainstrom: 15A
Maximaler Leistungsverlust: 1,6W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: SI4442DY-E3 RoHS Gehäuse: SOP08t/r  
Auf Lager:
15 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5967 0,3773 0,2971 0,2712 0,2594
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 7,5mOhm
Max. Drainstrom: 15A
Maximaler Leistungsverlust: 1,6W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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