SI4459ADY

Symbol Micros: TSI4459ady
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 7,7 mOhm; 29A; 7,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI4459ADY-T1-E3; SI4459ADY-T1-GE3;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 7,7mOhm
Max. Drainstrom: 29A
Maximaler Leistungsverlust: 7,8W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: SI4459ADY-T1-GE3 RoHS Gehäuse: SOP08t/r  
Auf Lager:
40 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,3424 0,9380 0,7705 0,7179 0,7059
Standard-Verpackung:
30
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI4459ADY-T1-GE3 Gehäuse: SOP08  
Externes Lager:
5000 stk.
Anzahl Stück 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,7059
Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 7,7mOhm
Max. Drainstrom: 29A
Maximaler Leistungsverlust: 7,8W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD