SI4459ADY

Symbol Micros: TSI4459ady
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Gehäuse: SOP08
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Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 7,7mOhm; 29A; 7,8W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: SI4459ADY-T1-E3; SI4459ADY-T1-GE3;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 7,7mOhm
Max. Drainstrom: 29A
Maximaler Leistungsverlust: 7,8W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: SI4459ADY-T1-GE3 RoHS Gehäuse: SOP08t/r  
Auf Lager:
40 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,3141 0,9185 0,7565 0,7033 0,6917
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Standard-Verpackung:
30
Widerstand im offenen Kanal: 7,7mOhm
Max. Drainstrom: 29A
Maximaler Leistungsverlust: 7,8W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

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