SI4463CDY-T1-GE3

Symbol Micros: TSI4463cdy
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
P-MOSFET 2.5V

Haben Sie Fragen? Wir beantworten Sie gerne.
Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48 785 054 437
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 14mOhm
Max. Drainstrom: 18,6A
Maximaler Leistungsverlust: 5W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: SI4463CDY-T1-GE3 RoHS Gehäuse: SOP08t/r  
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,1336 0,7935 0,6755 0,6177 0,5969
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 14mOhm
Max. Drainstrom: 18,6A
Maximaler Leistungsverlust: 5W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Montage: SMD

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole