SI4564DY-T1-GE3 Vishay

Symbol Micros: TSI4564dy
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOIC08
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Transistor N/P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 22mOhm; 30A; 5,2W; -55°C~150°C; SI4564DY-VB;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 22mOhm
Max. Drainstrom: 30A
Maximaler Leistungsverlust: 5,2W
Gehäuse: SOIC08
Hersteller: VBsemi
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N/P-MOSFET
Hersteller: VBsemi Hersteller-Teilenummer: SI4564DY RoHS Gehäuse: SOIC08t/r Datenblatt
Auf Lager:
0 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,4945 1,0457 0,8884 0,8143 0,7866
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Standard-Verpackung:
100
Hersteller: VBsemi Hersteller-Teilenummer: SI4564DY-VB RoHS Gehäuse: SOIC08t/r Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,4945 1,0457 0,8884 0,8143 0,7866
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 22mOhm
Max. Drainstrom: 30A
Maximaler Leistungsverlust: 5,2W
Gehäuse: SOIC08
Hersteller: VBsemi
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N/P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

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