SI4686DY

Symbol Micros: TSI4686dy
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
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Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 14mOhm; 18,2A; 5,2W; -55°C ~ 150°C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 14mOhm
Max. Drainstrom: 18,2A
Maximaler Leistungsverlust: 5,2W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: SI4686DY RoHS Gehäuse: SOP08t/r  
Auf Lager:
45 stk.
Anzahl Stück 2+ 5+ 15+ 45+
Nettopreis (EUR) 0,5737 0,3956 0,2846 0,2290
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Standard-Verpackung:
45
Widerstand im offenen Kanal: 14mOhm
Max. Drainstrom: 18,2A
Maximaler Leistungsverlust: 5,2W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

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