SI4800BDY-e3

Symbol Micros: TSI4800bdy-e3
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
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N-MOSFET 6.5A 30V 1.3W 0.0185Ω

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 30mOhm
Max. Drainstrom: 6,5A
Maximaler Leistungsverlust: 1,3W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: SI4800BDY-T1-E3 RoHS Gehäuse: SOP08t/r  
Auf Lager:
60 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 225+ 1125+
Nettopreis (EUR) 0,5622 0,3401 0,2614 0,2360 0,2249
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Standard-Verpackung:
225
Widerstand im offenen Kanal: 30mOhm
Max. Drainstrom: 6,5A
Maximaler Leistungsverlust: 1,3W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Montage: SMD

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