SI4840BDY

Symbol Micros: TSI4840bdy
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Gehäuse: SOP08
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 12mOhm; 19A; 6W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI4840BDY-T1-E3; SI4840BDY-E3; SI4840BDY-GE3;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 12mOhm
Max. Drainstrom: 19A
Maximaler Leistungsverlust: 6W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: SI4840BDY RoHS Gehäuse: SOP08t/r  
Auf Lager:
12 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,7970 1,5069 1,3408 1,2355 1,1980
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 12mOhm
Max. Drainstrom: 19A
Maximaler Leistungsverlust: 6W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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